DDR 的 PCB布局及走线要求

1. 定义DDR：Double Date Rate 双倍速率同步动态随机存储器。DDR、DDR2、DDR3常用规格：2. 阻抗控制要求单端走线控制 50 欧姆，差分走线控制 100 欧姆3. DDR 布局要求通常，根据器件的摆放方式不同而选择相应的拓扑结···

澜起科技Q1利润翻倍！DDR5市占全球第一

4月23日晚间，澜起科技披露一季报，2025年第一季度实现营业收入12.22亿元，同比增长65.78%；净利润5.25亿元，同比增幅达135.14%；扣非后净利润为5.03亿元，同比增长128.83%。澜起科技目前拥有互连类芯片和津逮®服务···

三大内存厂持续减产DDR4

三大原厂纷纷缩减旧制程产能，除三星电子已传宣布4月终止1y nm及1z nm制程的DDR4生产，美光亦通知客户停产服务器用旧制程DDR4模组，SK海力士据传也将DDR4产出比重降至20%。法人认为，市场景气低迷，上游存储器厂加速···